STGB15M65DF2

功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

制造商:stmicroelectronics

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:有效

IGBT 类型:沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值):650V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):30A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):60A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):2V @ 15V,15A

功率 - 最大值:136W

开关能量:90μJ(开),450μJ(关)

输入类型:标准

栅极电荷:45nC

25°C 时 Td(开/关)值:24ns/93ns

测试条件:400V,15A,12 欧姆,15V

反向恢复时间(trr):142ns

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

标准包装:1

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